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采用钨丝催化化学气相沉积(Cat—CVD)方法制备多晶硅(p-Si)薄膜，研究氢气稀释率(FR(H2)／(FR(H2)+FR(SiH4))对制备多晶硅薄膜的影响。XRD和喇曼光谱分析分别显示(111)面取向的多晶硅峰及喇曼频移为520cm^-1多晶硅峰的强度随氢气稀释率的增加而增强，由喇曼光谱计算的结晶度也有同样的趋势。通过分析测试结果得出，氢原子以表面脱氢、刻蚀弱的Si—Si键．及进入晶格内部进行深度脱氢等方式改善薄膜材料的结晶度。