【摘 要】
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本文介绍了直接禁带半导体中辐射速率和俄歇速率的一组归一化计算结果,重点是1.3μm和1.55μm波长所对应的禁带材料。根据可得到的发射1.3和1.55μm波长材料带结构之最佳数据
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本文介绍了直接禁带半导体中辐射速率和俄歇速率的一组归一化计算结果,重点是1.3μm和1.55μm波长所对应的禁带材料。根据可得到的发射1.3和1.55μm波长材料带结构之最佳数据,对于这些激光器材料在阈值时寿命的辐射成分和俄歇成分进行了计算。发现算得的这些材料的T_0值在49K—92K之间。
This paper presents a set of normalized calculations of the radiation rate and the Auger rate in direct bandgap semiconductors, focusing on forbidden band materials at 1.3μm and 1.55μm wavelengths. Based on the best available data for the band structure of the 1.3 and 1.55 μm wavelength materials emitted, the radiation composition and Auger composition of the lifetime of these laser materials at threshold were calculated. The T_0 values for these materials were found to be between 49K-92K.
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