美国政府扶持脆弱的GaAs基地

来源 :电子材料(机电部) | 被引量 : 0次 | 上传用户:anran520
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9月1~5日,第十二届北京国际图书博览会在国展中心举行。
论述了国外晶体生长学者为了降低GaAs单晶位错密度对LEC技术所作的重大改进工作;介绍了LEC技术的进展状况。
概述了用等离子体喷涂和CVD沉积保护涂层,以及用脉冲激光处理陶瓷表面以增强材料耐磨和抗腐蚀性等技术。