【摘 要】
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锁模光纤激光器在工业加工、光通信、光学传感等领域有广泛的应用.由于在GaAs基板上制备的InAs量子点(QD)半导体可饱和吸收镜(QD-SESAM)增益谱较宽、成本较低,将其应用于锁模
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏苏州 215123;中国科学技术大学纳米科学技术学院,江苏苏州 215123;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏苏州 215123
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锁模光纤激光器在工业加工、光通信、光学传感等领域有广泛的应用.由于在GaAs基板上制备的InAs量子点(QD)半导体可饱和吸收镜(QD-SESAM)增益谱较宽、成本较低,将其应用于锁模光纤激光器具有非常大的潜力.然而,生长发光中心波长(λ)为1550 nm的高性能QD-SESAM仍然十分困难.采用分子束外延(MBE)生长制备了1550 nm GaAs基InAs QD-SESAM,通过在SESAM上表面生长厚度为λ/4的SiO2层,将QD-SESAM的调制深度提升至1.4％.使用这种新型的QD-SESAM优化了耦合效率,成功地构建了稳定的环形腔被动锁模掺铒光纤激光器,其斜率效率为2.2％,脉冲宽度为2 ps,重复频率为16.5 MHz,最大输出功率约为4.1 mW.结果 表明,这种带有λ/4厚度SiO2层的QD-SESAM在制备高性能锁模激光器方面具有非常大的应用潜力.
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