【摘 要】
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报告了研制的9.6 mm栅宽双δ-掺杂功率PHEMT,在fo＝11.2 GHz、Vds＝8.5 V时该器件输出功率37.28 dBm,功率增益9.5 dB,功率附加效率44.7%,在Vds＝5～9 V的范围内,该器件的功率附加效率
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报告了研制的9.6 mm栅宽双δ-掺杂功率PHEMT,在fo＝11.2 GHz、Vds＝8.5 V时该器件输出功率37.28 dBm,功率增益9.5 dB,功率附加效率44.7%,在Vds＝5～9 V的范围内,该器件的功率附加效率均大于42%,两芯片合成,在10.5～11.3 GHz范围内,输出功率大于39.92 dBm,最大功率达到40.37 dBm,功率增益大于9.9 dB,典型的功率附加效率40%.
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