【摘 要】
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据《日经微器件》2004年第9期报道,韩国三星电子近日开发了用于50 nm以下存储器的新型半导体器件。该技术是3维晶体管技术的“多层沟道晶体管技术”、“突起型晶体管技术”。
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据《日经微器件》2004年第9期报道,韩国三星电子近日开发了用于50 nm以下存储器的新型半导体器件。该技术是3维晶体管技术的“多层沟道晶体管技术”、“突起型晶体管技术”。这些技术可采用复数沟道,是晶体管的立体化技术。目前,存储器的晶体管只是在单层
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