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提出了一种新的无需外压力作用的硅／玻璃激光局部键合方法，通过对晶圆进行表面活化处理，选择合适的激光参数及加工环境，成功地实现了无压力辅助硅／玻璃激光键合．同时研究了该键合工艺参数如激光功率、激光扫描速度、底板材料等的影响．实验表明，激光功率越大，扫描速度越小，键合线的宽度就越大．实验结果显示，该方法能有效减少键合片的残余应力，控制键合线宽，并能得到较好的键合强度．该工艺可为MEMS器件的封装与制造提供简洁、快速、键合区可选择的新型键合方法．