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本文首次对高功率GaAs/GaAlAs量子阱激光器 ( 80 8nm)的低频 ( 10 0Hz～ 2 0KHz)电流调制特性进行了实验研究。结果表明 :激光发射的接通延迟时间、阈值电流、正脉冲的占空比、平均功率、峰值功率随调制频率和电流而变化
808nm量子阱激光器电流调制特性的实验研究
【摘 要】
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本文首次对高功率GaAs/GaAlAs量子阱激光器 ( 80 8nm)的低频 ( 10 0Hz～ 2 0KHz)电流调制特性进行了实验研究。结果表明 :激光发射的接通延迟时间、阈值电流、正脉冲的占空比、
【机 构】
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深圳大学科技研究院,深圳大学科技研究院,深圳大学科技研究院,山西大学物理电子工程学院
【出 处】
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激光杂志
【发表日期】
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2001年02期
【基金项目】
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1999年深圳市科技三项经费资助
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