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利用正向交流（ac）小信号方法对GaN发光二极管的电容一电压特性进行测量，可以观察到GaN发光二极管中的负电容现象。利用LED串联等效电路对表观电容和表观电阻进行了测量，表观电阻-正向电压曲线出现了一个极值点。通过对相关文献分析，提出负电容现象的根本原因是在较高的正偏下微分电容dQ/dU＜0；推论出pn结的微分电容先随正向偏压的增大而急剧增大，当出现复合发光后随正向偏压的增大而减小，直到随正向偏压的增大而出现负值；正向偏置电压较大时，结电导电流的变化率根据，Ⅰ-Ⅴ特性曲线取极大值，此时微分电容由于强复合效