【摘 要】
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本文用第一性原理中的局域密度近似方法,计算了锯齿型单壁硅纳米管(single-walled silicon nanotubes,SWSiNTs)的能带结构、态密度、吸收谱及反射谱.计算结果表明当n=6~9时,带
【机 构】
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贵州大学 大数据与信息工程学院,贵阳,550025
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本文用第一性原理中的局域密度近似方法,计算了锯齿型单壁硅纳米管(single-walled silicon nanotubes,SWSiNTs)的能带结构、态密度、吸收谱及反射谱.计算结果表明当n=6~9时,带隙为0,该组SWSiNTs具有金属性;当n=10~21时,能带图出现带隙,该组SWSiNTs具有半导体性;当n=13~21时,该组SWSiNTs的带隙以3组手性指数为周期减小;并在吸收谱和反射谱都会在一些相似频率值附近产生峰值.
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