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为了增强单电子晶体管中栅极和沟道量子点之间的耦合度，提高增益调节系数，发展了结合预制控制栅、电子束直写、各向异性腐蚀和热氧化的制备工艺．在室温下对器件的电学特性进行测量，观察到了典型的库仑振荡效应和负微分电导效应．基于量子点能级分立模型，分析了器件的输运原理，重点研究了强耦合作用对器件输运性质的影响．研究表明，通过控制量子点的热氧化时间，将器件量子点尺寸减小到7．6nm，增益调节系数提高到0．84．