应用于1．55微米的高含氮量GaInNAs／GaAs单量子阱的光激反射和光激发光的研究

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【摘要】

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用光的反射光谱和光的光致发光光谱的测量对Ga0.69In0. 31NxAs1-x/GaAs的单量子阱的光学特性作了研究，在单量子阱的反射光谱中，观察到GaAs能隙之上的Franz-Keldysh振荡和来源于

【作者】

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陈自雄苏国和 HUNG C. T.

【机构】

：

台北技术与科学研究院

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

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2008年1期

【关键词】

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单量子井光激反射光激发光 Franz-Keldysh振动 FWHM Single quantum well （SQW） Photoreflectance

【基金项目】

：

Acknowledgements The author T. H. Chen gratefully aeknowledge the support of the Technology and Science Institute of Northern Taiwan.

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用光的反射光谱和光的光致发光光谱的测量对Ga0.69In0. 31NxAs1-x/GaAs的单量子阱的光学特性作了研究，在单量子阱的反射光谱中，观察到GaAs能隙之上的Franz-Keldysh振荡和来源于量子阱区的各种类激子跃迁，Franz-Keldysh振荡确定量子阱的内建电场并发现它是随N的浓度增加而增加；反射信号随样品中氮耦合增强而减弱，因为温度降低时载流子的定域作用导致调制效应的弱化。激子跃迁的能量和温度关系按照Varshni和爱因斯坦-玻司方程作了研究，在PL谱中观察到的11H跃迁能量和谱线展

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