【摘 要】
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采用离子注入的方法在氮化铝（AlN）薄膜中实现Er3＋和Pr3＋的共掺杂,以阴极荧光光谱仪为主要表征手段,对其发光特性进行研究.对于Er3＋单掺杂的AlN薄膜,在410nm和480nm可以观察到Er3＋较
【机 构】
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苏州科技大学数理学院江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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采用离子注入的方法在氮化铝（AlN）薄膜中实现Er3＋和Pr3＋的共掺杂,以阴极荧光光谱仪为主要表征手段,对其发光特性进行研究.对于Er3＋单掺杂的AlN薄膜,在410nm和480nm可以观察到Er3＋较强的发光峰,在537nm、560nm、771nm和819nm可观察到Er3＋的较弱的发光峰;对于Pr3＋单掺杂的AlN薄膜,Pr3＋的最强发光峰位于528nm,在657nm和675nm可以观察到Pr3＋的较弱的发光峰;而对于Er3＋和Pr3＋共掺杂的AlN薄膜,在494nm观察到与Pr3＋相关的新跃迁峰.
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