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通过高真空直流磁控溅射法在硅上淀积了Ta膜,Ta/NiFe双层膜和IrMn顶钉扎自旋阀薄膜.研究了Ta、Ta/NiFe膜的微结构和自旋阀的磁性能.结果表明,Ta缓冲层厚度直接影响它的微结构,从而影响自旋阀的磁电阻率、矫顽力和交换场等性能.通过工艺改进和结构优化,得到了Ta缓冲层的最佳厚度3nm.此时自旋阀的磁电阻率(9.24%)和交换场(255×(103/4π)A/m)达到最大值,而矫顽力(2.43×(103/4π)A/m)比较小.通过优化后得到的自旋阀薄膜非常适合于工业自动化和汽车工