【摘 要】
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随着碳化硅（Si C）材料的MEMS器件在恶劣环境测量中的应用前景和迫切需求,进行了碳化硅的直接键合实验。研究了工艺条件对键合样品力学性能的影响,同时借助激光共聚焦扫描显微镜
【机 构】
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中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,中北大学电子测试技术国防科技重点实验室
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随着碳化硅（Si C）材料的MEMS器件在恶劣环境测量中的应用前景和迫切需求,进行了碳化硅的直接键合实验。研究了工艺条件对键合样品力学性能的影响,同时借助激光共聚焦扫描显微镜（CLSM）、扫描电子显微镜（SEM）、能谱仪（EDS）和拉曼光谱仪等对碳化硅键合样品界面的微观结构进行了分析。结果表明：退火温度和加载压力是影响键合效果的关键性因素。当退火温度为1 300℃,加载压力为3 MPa和退火时间为3 h时,此时键合样品的气密性非常好,力学性能达到最佳,键合强度2 MPa。最后通过样品微观界面分析表明碳化硅
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