【摘 要】
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采用R．F反应溅射法制备SnO2导电薄膜，用XRD、AFM、XPS研究了薄膜的结构和组成对导电性能的影响。XRD和AFM研究表明，随着衬底温度的增加，SnO2薄膜从非晶向多晶结构转变，表面粗糙度
【机 构】
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北京有色金属研究总院能源与材料技术中心
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采用R．F反应溅射法制备SnO2导电薄膜，用XRD、AFM、XPS研究了薄膜的结构和组成对导电性能的影响。XRD和AFM研究表明，随着衬底温度的增加，SnO2薄膜从非晶向多晶结构转变，表面粗糙度减弱，薄膜的表面电阻大幅增加。采用XPS对薄膜表面成分进行分析，时不同衬底温度下Sn3d5／2拟合发现，薄膜表面存在Sn^2＋和Sn^4＋两种混合价态。随着村底温度的增加，Sn3d5／2能谱位置与峰宽并没有变化。对O1s能谱进行Gaussian拟合后发现，薄膜表面的氧以晶格氧（略）和化学吸附氧（Oahs^-）两种方
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