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本文介绍了Ⅱ～Ⅵ族半导体团簇或量子点CdSe、CdS、HgTe、CdTe目前国内外理论方面的研究进展,主要阐述了应用第一性原理方法对这几种团簇研究情况,如在原子数小于22时基态结构的特点及结合能和能隙对尺寸的变化关系等.并指出CdSe、CdS、HgTe、CdTe等团簇潜在的应用价值.
Ⅱ～Ⅵ族半导体团簇的第一性原理研究
【摘 要】
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本文介绍了Ⅱ～Ⅵ族半导体团簇或量子点CdSe、CdS、HgTe、CdTe目前国内外理论方面的研究进展,主要阐述了应用第一性原理方法对这几种团簇研究情况,如在原子数小于22时基态结构
【机 构】
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长江师范学院物理学及电子信息工程系
【出 处】
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科技资讯
【发表日期】
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2007年16期
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