论文部分内容阅读
利用等离子体氧化方法在单晶硅片上制备了厚度小于10nm的超薄SiO2层，通过傅里叶红外光谱（FTIR），X射线光电子谱（XPS），透射电子显微镜（TEM），椭圆偏振法和电流电压（I－V），电容电压（C－V）测量对生成的超薄氧化层性质进行研究。
等离子体氧化制备超薄SiO_2层的性质
【摘 要】
：
利用等离子体氧化方法在单晶硅片上制备了厚度小于10nm的超薄SiO2层，通过傅里叶红外光谱（FTIR），X射线光电子谱（XPS），透射电子显微镜（TEM），椭圆偏振法和电流电压（I－V），电容电压（C－V）测量对生成
【机 构】
：
南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室,南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室
【出 处】
：
半导体学报
【发表日期】
：
2001年8期
【基金项目】
：
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :69890 2 2 5 ,,698760 19)
其他文献
报道了Φ150mm CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果，对Φ200mmP／P^-硅外延材料进行了初步探索研究。Φ150mmP/P^+硅外延片实现了批量生产，并成功应用于集成电路生产线，
建筑工程项目的施工管理具有复杂性特点,包含众多工种与专业,施工管理工作比较繁重。在当前的市场经济环境之下,建筑施工单位间的竞争特别激烈,各大施工企业通过加强项目施工
FLASH在擦操作的过程中，带带隧穿产生的空穴注入将会在SiO2/SiO2界面和氧化层中产生带电中心（包括界面态和陷阱），影响电路的可靠性。利用电荷泵方法，通过应力前后电荷泵电流的改变
寻求一种有效的教学方式，使教师可以教得更少，学生可以学得更多，一直是教育者的梦想。新课程改革明确了教学面向全体学生的思想，提出学生的发展是英语课程的出发点和归宿。因此，探
研究了CeO2作为高K（高介电常数）栅介质薄膜的制备工艺，深入分析了衬底温度，淀积速率，氧化压等工艺条件和利用N离子轰击氧化Si衬底表面工艺对CeO2薄膜的生长及其与Si界面结构特征的
本文使用高纯度和高品位的单晶材料，通过Ｃｕ掺杂和退火实验，利用光致发光研究了ＣｄＴｅ发光光谱中１．５８９６ｅＶ处的主要中性受主束缚激子发光的起因。结果表明，该发光峰实际上是由能量极其相近的两个发
随着近几年人们生活质量的提升,对房屋的需求量越来越大,这就导致了房屋建筑量剧增且规模也不容小觑。但是在房屋建筑施工过程中最严重的问题就是房屋渗漏,这种问题的出现会
我国现代化发展的不断进步,也带动建筑工程施工进程的不断前行。然而在建筑工程施工工序的发展中,难免会出现抗地震结构等方面的技术问题,这就要求我们加强对建筑工程抗地震
用改进的垂直气相法生长的富镉CdSe单晶，其电阻率为10^7Ω.cm量级，电子陷阱浓度为10^8cm^-3量级，且能将注入其中的部分电荷储存起来，分析认为，晶体的高电阻率及储存电荷的能力都是