【摘 要】
：
视频信噪比(SNR)是微光摄像机的一项重要的综合性指标,对它的测试与分析在评价和设计新型微光摄像机方面起着相当重要的作用。该文通过数字存储示波器与微机联合测试视频SNR,
【机 构】
：
南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京理工大学电子工程与光电技术学院
论文部分内容阅读
视频信噪比(SNR)是微光摄像机的一项重要的综合性指标,对它的测试与分析在评价和设计新型微光摄像机方面起着相当重要的作用。该文通过数字存储示波器与微机联合测试视频SNR,从而建立性能完善的微光摄像机信号噪声特性测试系统,并论述了数字存储示波器用于测试视频SNR时外触发电路的设计与制作过程。
Video signal-to-noise ratio (SNR) is an important and comprehensive indicator of shimmering cameras, and its testing and analysis play an important role in evaluating and designing new shimmering cameras. In this paper, a digital storage oscilloscope and a microcomputer are used to test the video SNR to establish a perfect performance testing system for the signal noise characteristics of the glimmer camera. The design and manufacture of the external trigger circuit for testing the video SNR are also discussed.
其他文献
摘 要：发轫于循证医学的“循证实践”（EBP），影响深远，日益融入人文社科领域。“循证实践”与大学生思想政治教育在科学、民主、实效等价值诉求上耦合，因而将“循证实践”引入大学生思想政治教育是可行的。“循证实践”运用于大学生思想政治教育，有特定的架构和步骤，迫切需要加强宣传、成立专门的机构、创建权威的大学生思想政治教育资源库。将“循证实践”运用于大学生思想政治教育是大学生思想政治教育理念的变更和范式
任何时代下都需要新闻宣传,因为无论哪个时代,人们都有获得信息的需求,只是不同的时代有不同的新闻宣传方式,以此来为社会公民提供最优质的信息服务。在和谐社会建设的背景下
摘 要：传统的高校思想政治教育工作陷入了困境，大学生对思想政治教育存在认知偏差、表现出逆反心理、在实践上难以将“知”转化为“行”，这些是当下高校思想政治教育工作亟待解决的现实问题。这些问题主要是由经济体制改革导致大学生的功利心渐强、官员贪污腐败导致大学生的政治热情低落、东西方文化碰撞导致大学生文化迷失以及大学生自身心理发展不成熟导致其容易受到外部不良因素的侵害等原因造成的。在新形势下，传统思想政治
Highly arsenic-doped Si-on-insulator(SOI) substrate incorporated with buried MoSi2 layers js fabricated aiming at decreasing the collector series resistance of
摘 要：博士生教育是我国最高层次的学历教育，博士生培养质量关系到国家未来的发展。博士生党建工作作为博士生教育的重要环节，在高校党建和人才培养工作中占有举足轻重的地位。文章分析了当前高校博士生党建工作面临的形势与任务，指出了博士生党建工作存在的问题与挑战，并就加强和改进高校博士生党建工作提出了思考和建议。 关键词：高校；博士生党建；问题；思考 DOI：10.15938/j.cnki.iper.2
Origin of polarization sensitivity of photonic wire waveguides (PWWs) is analysed and the effective refractive indices of two different polarization states are
Periodic microstructures on silicon bulk are formed by the irradiation of the femtosecond laser with the laser wavelength of 8OO nm and the pulse length of 130
From the dynamical equation of barotropic relaxing media beneath pressure perturbations, and using the reductive perturbative analysis, we investigate the solit
Hot-carrier degradation for 90 nm gate length lightly-doped drain (LDD) NMOSFET with ultra-thin (1.4 nm) gate oxide is investigated under the low gate voltage s
We show that symmetry-breaking (SB) bifurcation is just a transition of different forms of symmetry, while still preserving systems symmetry. SB bifurcation alw