【摘 要】
：
硅纳米线是一种新型半导体光电材料,具有量子限制效应并且能与目前的硅芯片相兼容,是一种很有前途的适用于纳米器件的材料,未经处理的硅纳米线存在大量的晶体缺陷以及表面氧
论文部分内容阅读
硅纳米线是一种新型半导体光电材料,具有量子限制效应并且能与目前的硅芯片相兼容,是一种很有前途的适用于纳米器件的材料,未经处理的硅纳米线存在大量的晶体缺陷以及表面氧化物保护层,直接将这样的硅纳米线应用于纳米器件中时,表面氧化层的保护作用使硅纳米线在电子器件中应用时不能有效地实现欧姆接触,因此对硅纳米线使用前的前期处理是非常必要的.本文主要针对硅纳米线应用于电子器件的准备工序包括为制备完整硅纳米线晶体结构而进行的减少缺陷处理、避免硅纳米线团聚而进行的分散处理,以及使硅纳米线具有有效欧姆接触而进行的表面金属离子
其他文献
分析和研究电机的热模型对电机设计和运行中的维护都是十分重要的。建立了异步电机定子绕组温升的红外检测传热反问题三维计算模型，通过使用红外手段测量电机表面若干离散点的
提出了一种新的适用于相位测量的电压信号量程切换技术。提高了相位测量的精度，在设计中，利用CPID芯片实现了单稳态触发器的功能并应用于电压信号的量程切换中，给出了仿真的图形
将MEMS悬臂梁在静电驱动下的受力过程映射为悬臂梁自由端（即其纵向最大位移点）的力学描述，从而实现对悬臂梁的直流稳态分析。其基本原理是基于结构的受力分析，以位移为共同变量，引
甚大规模集成电路(ULSI)对衬底硅片表面洁净度的要求越来越高.抑制颗粒在衬底表面的沉积,应使衬底表面与颗粒表面必须具有相同的ξ-电势.表面活性剂具有润湿作用,能够降低表
为了减小运算放大器由于自身及外界原因存在失调导致输出波形的THD值较大的状况,文中首先介绍了全差分运算放大器的基本架构,并在此基础上采用一种新颖的选通输入方式及简单