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期刊论文
CMOS电路同步开关噪声的分析和仿真
CMOS电路同步开关噪声的分析和仿真
来源 :电子与封装 | 被引量 : 0次 | 上传用户:a275505
【摘 要】
:
目前,集成电路正向着高速集成度方向发展,但受到封装如DIP、TSOP、BGA等上寄生电感的作用,同步开关噪声影响越来越大.本文对一个简化的同步开关噪声电路模型进行了理论分析,
【作 者】
:
王强
毛友德
王竞
郑坚斌
楚薇
【机 构】
:
合肥工业大学理学院,世宏科技(苏州)有限公司
【出 处】
:
电子与封装
【发表日期】
:
2004年4期
【关键词】
:
CMOS集成电路
同步开关噪声
寄生电感
CMOSICSimultaneous Switching NoiseParasitic Inductance
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目前,集成电路正向着高速集成度方向发展,但受到封装如DIP、TSOP、BGA等上寄生电感的作用,同步开关噪声影响越来越大.本文对一个简化的同步开关噪声电路模型进行了理论分析,从而得出通过调整开关上升时间等方法,可以有效降低地弹噪声,降低幅度可达到80%以上.
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