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论述了ITO膜的导电及生长机理，讨论了离子辅助(IAD)电子枪蒸镀ITO膜的方法中，膜的组分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对ITO膜光电性能的影响，在选择合适的工艺条件下制备ITO膜，电阻率约3×10-4Ω*cm，可见光平均透过率高于80％。并用原子力显微镜（AFM）对溅射及蒸发膜进行了表面面型测试。