MOCVD生长GaN材料P型掺杂最新进展

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【摘要】

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p型GaN薄膜的实现是发展光电器件的关键工艺.使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法已经获得实用性的p型掺杂,但是其电学和光学特性都不能让人满意.最近几年在掺杂工艺的改

【作者】

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赵浙叶志镇

【机构】

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浙江大学硅材料国家重点实验室

【出处】

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材料导报

【发表日期】

：

2004年8期

【关键词】

：

P型GaN薄膜 MOCVD P型掺杂光电器件自补偿模型共掺杂工艺 GaN thin filmp-dopingreviewself-compensation

【基金项目】

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国家重点基础研究发展计划(973计划)

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p型GaN薄膜的实现是发展光电器件的关键工艺.使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法已经获得实用性的p型掺杂,但是其电学和光学特性都不能让人满意.最近几年在掺杂工艺的改进和掺杂模型的理论研究方面都取得了显著进展.介绍了p型掺杂GaN中的自补偿模型、共掺杂工艺的原理和进展、PL谱的性质以及一些新的掺杂工艺.

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