MOCVD方法在Ni/Si(111)模板上生长ZnO薄膜

来源 :南昌大学学报(理科版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:evemxy
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用常压金属有机化学气相外延方法在Ni/Si(111)模板上生长ZnO薄膜,研究了ZnO低温缓冲层的厚度(50h,300h)对薄膜性能的影响。采用原子力显微镜,X射线衍射和光致发光光谱仪对这些样品进行分析。结果表明:缓冲层的厚度对zno外延薄膜的表面形貌、晶体结构及发光性能都有较大影响。在50h~100A低温缓冲层上生长的ZnO外延膜,晶粒尺寸大小均匀,发光和结晶性能良好。
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