【摘 要】
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硅外延作为一种性能优良的半导体材料,为各类硅集成电路的发展提供了坚实、可靠的物质基础。其中P/P+硅外延片主要应用在超大规模集成电路和功率器件中[1],在气相外延(CVD)中
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硅外延作为一种性能优良的半导体材料,为各类硅集成电路的发展提供了坚实、可靠的物质基础。其中P/P+硅外延片主要应用在超大规模集成电路和功率器件中[1],在气相外延(CVD)中,由于P型衬底中的硼固态扩散和自掺杂较重,其外延电阻率一致性难以控制。而且衬底浓度的变化对外延电阻的一致性也是颇为敏感。本文通过实验,阐述P型衬底浓度对外延一致性的影响,总结通过变流量赶气、调节本征厚度来改善,并对外延工艺初期设计提出建议。
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