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碳化硅粉末经压制成型后,在高温常压下固相烧结制成多孔碳化硅样品.用紫外激光对样品激发,样品的光致发光谱在低温下在2.02 eV位置出现一发光主峰,在2.13 eV位置出现一微弱肩峰;在室温下发光峰位置有所蓝移.样品的电阻率随着烧结温度的上升而上升,随着成型压力的升高而降低.发光来自缺陷态.
固相烧结多孔碳化硅的光致发光及电阻率
【摘 要】
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碳化硅粉末经压制成型后,在高温常压下固相烧结制成多孔碳化硅样品.用紫外激光对样品激发,样品的光致发光谱在低温下在2.02 eV位置出现一发光主峰,在2.13 eV位置出现一微弱肩
【机 构】
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西安理工大学
【出 处】
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西安理工大学学报
【发表日期】
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2003年2期
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