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介绍了最新设计的双E型硅传感器芯片的结构及其形成工艺.通过控制不同的敏感硅芯片弹性膜的厚度,即可制得不同量程的双E型敏感硅芯片和加速度传感器.
硅加速度传感器芯片的优化设计研究
【摘 要】
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介绍了最新设计的双E型硅传感器芯片的结构及其形成工艺.通过控制不同的敏感硅芯片弹性膜的厚度,即可制得不同量程的双E型敏感硅芯片和加速度传感器.
【机 构】
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湖南工程学院数理系
【出 处】
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电子产品可靠性与环境试验
【发表日期】
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2003年5期
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