【摘 要】
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GaN是重要的蓝光半导体材料,我们以TMGa和NH3为源在(0112)α-Al2O3衬底上成功的用MOCVD方法生长了GaN外延层,研究了GaN的表面形貌与结晶学、电学和光学特性。GaN(2110)面的双晶回摆曲线衍射峰的最小半高宽已达16'。并观测到GaN所
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,中国科学院半导体研究所
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GaN是重要的蓝光半导体材料,我们以TMGa和NH3为源在(0112)α-Al2O3衬底上成功的用MOCVD方法生长了GaN外延层,研究了GaN的表面形貌与结晶学、电学和光学特性。GaN(2110)面的双晶回摆曲线衍射峰的最小半高宽已达16'。并观测到GaN所发出的紫外和可见光波段的阴极荧光。
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