单片GaAs 3bit相位DAC的设计与实现

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hqianhua

【摘要】

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详细论述了用于数字射频存储器系统的单片超高速GaAs 3bit相位DAC的设计、制造及测试．在南京电子器件研究所标准75mm GaAs工艺线采用0．5μm全离子注入MESFET工艺完成流片．芯片输

【作者】

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张有涛夏冠群李拂晓高建峰杨乃彬

【机构】

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南京电子器件研究所,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院上海微系统与信息技术研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年5期

【关键词】

：

相位数字化DAC 超高速 GAAS DRFM phase digitizing DAC high-speed GaAs DRFM

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详细论述了用于数字射频存储器系统的单片超高速GaAs 3bit相位DAC的设计、制造及测试．在南京电子器件研究所标准75mm GaAs工艺线采用0．5μm全离子注入MESFET工艺完成流片．芯片输入输出阻抗实现在片50Ω匹配．测试结果表明，其工作带宽大于1．5GHz，相位精度小于4％，电路的码流翻转速率大于12Gbps．

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