Research on surface photovoltage spectroscopy for GaAs photocathodes with AlxGa1?xAs buf fer layer

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Surface photovoltage spectroscopy equations for cathode materials with an AlxGa1 xAs buffer layer are determined in order to effectively measure the body parameters for transmission-mode (t-mode) photocathode materials before Cs-O activation. Body parameters of cathode materials are well fitted through experiments and fitting calculations for the designed AlxGa1 xAs/GaAs structure material. This investigation examines photo-excited performance and measurements of body parameters for t-mode cathode materials of different doping structures. It also helps study various doping structures and optimize structure designs in the future.
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