氟在多晶硅栅中迁移特性的分析与模拟

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：rual7007

【摘要】

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在深入分析氟在多晶硅栅中迁移特性的基础上，建立了氟在多晶硅栅中的迁移方程．采用有限差分法，模拟了氟在多晶硅栅中的分布，模拟结果与实验符合得很好．给出了氟在多晶硅中的发射系

【作者】

：

张廷庆赵元富

【机构】

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西安电子科技大学微电子所,骊山微电子研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1998年5期

【关键词】

：

多晶硅栅氟 MOS器件硅迁移特性 FluorineSiliconSimulation

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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在深入分析氟在多晶硅栅中迁移特性的基础上，建立了氟在多晶硅栅中的迁移方程．采用有限差分法，模拟了氟在多晶硅栅中的分布，模拟结果与实验符合得很好．给出了氟在多晶硅中的发射系数ｅ约为６×１０－２／ｓ，氟在晶粒间界的扩散系数Ｄｂ＝９×１０－１２ｅｘｐ（－０．８９５／ｋＴ）和氟在Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＯ２界面的吸收系数Ｓ１与温度的变化关系．

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