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对不同温度热处理的xAlP/100SiO2纳米复合材料的光致发光进行了研究。结果表明，500℃热处理的样品光致发光谱只有位于585nm附近的发光峰，它来源于表面态和缺陷复合发光，600℃热处理的样品有两个发光峰，分别位于585nm和635nm附近。分析认为，635nm的发光是被弛豫至表面态的电子和空穴通过隧穿复合发光;材料热处理温度的提高有助于晶粒的生长，从而使表面态和缺陷发光明显减弱，出现另一由于隧穿复合产生的发光峰。