锡在金电极上的欠电位单层沉积的分析应用

来源 :兰州大学学报（自然科学版） | 被引量 : 0次 | 上传用户：weishuren33

【摘要】

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用循环伏安法研究了Sn2+在金盘电极上的欠电位沉积.在特别提纯的1 mol/L HCl支持电解质溶液中,Sn2+在金盘电极上可以产生清晰的欠电位沉积峰和本体沉积峰.基于Au/Sn欠电位体

【出处】

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兰州大学学报（自然科学版）

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

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锡欠电位沉积金盘电极测定 tin underpotential deposition gold disc electrode determination

【基金项目】

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国家自然科学基金;

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用循环伏安法研究了Sn2+在金盘电极上的欠电位沉积.在特别提纯的1 mol/L HCl支持电解质溶液中,Sn2+在金盘电极上可以产生清晰的欠电位沉积峰和本体沉积峰.基于Au/Sn欠电位体系优良的电化学特性,发展了一种选择性好、灵敏度高的电化学分析方法.Sn2+浓度在1.96×10-10～2.91×10-s mol/L范围内与峰电流有线性关系.连续7次测定1.0×10-9 mol/L Sn2+得到的相对标准偏差为5.06%.该方法已用于实际样品的测定,所得结果与原子发射光谱(ICP-AES)所得数据相吻合.

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