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为了提高AlGaN/GaN HEMT的频率,采用了缩小源漏间距、优化栅结构和外围结构等措施设计了器件结构,并基于国内的GaN外延片和工艺完成了器件制备.测试表明所研制的AlGaN/GaN HEMT可以满足Ka波段应用.其中2×75μm栅宽AlGaN/GaN HEMT在30V漏压下的截止频率为32GHz,最大振荡频率为150GHz;在30GHz连续波测试条件下,线性增益达到10.2dB.6×75μm栅宽AlGaN/GaN HEMT的截止频率为32GHz,最大振荡频率为92GHz;在30G