【摘 要】
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采用PowerPAK 1212-8封装的TrenchFET Gen Ⅱ器件体积大小为3．3mm×3．3mm×1mm，热阻值小于2℃／W，与SO8封装的器件相比体积减小了8倍。新的MOSFET系列包括双N沟道和单N沟道
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采用PowerPAK 1212-8封装的TrenchFET Gen Ⅱ器件体积大小为3．3mm×3．3mm×1mm，热阻值小于2℃／W，与SO8封装的器件相比体积减小了8倍。新的MOSFET系列包括双N沟道和单N沟道器件，其中单N沟道器件在4．5V栅极驱动电压下的导通电阻范围为3．7～10m Ω，包括12V Si7104DN；20V Si7106DN、Si7108DN和Si7110DN；30V Si7112DN和Si7114DN以及40V Si7116DN。
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