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常规的通过干法刻蚀制作纳米梁的方法会不可避免地在梁上引入晶格损伤层。本文提出一种制造无晶格损伤层纳米梁的新工艺方法。在常规光刻后，辅助利用FIB（聚焦离子束）刻蚀修改硅梁中部上方的SiO2掩模。根据单晶硅的材料和工艺特点，通过KOH各向异性情蚀，硅梁两侧壁与硅片表面垂直，并自停止为（111）面。自停止面自校正地沿〈112〉晶向自硅梁中部向两端扩展，直至硅梁成型。经过冷冻干燥，最终在（110）SOI硅片上制得了宽度为112nm的单晶硅纳米梁．自校正的腐蚀方式提升了工艺稳定性，并且由于结合利用了湿法腐蚀和FI