【摘 要】
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二硫化钼纳米带按边界结构特征可分为锯齿型和扶手型,在制备过程中,不可避免地会存在一定的缺陷,其中硫空位(VS)最为常见,它将改变纳米结构,进而影响其电子性质.本文采用密度
【机 构】
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扬州科技学院电子工程学院,扬州225009;扬州大学物理科学与技术学院,扬州225002
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二硫化钼纳米带按边界结构特征可分为锯齿型和扶手型,在制备过程中,不可避免地会存在一定的缺陷,其中硫空位(VS)最为常见,它将改变纳米结构,进而影响其电子性质.本文采用密度泛函理论来研究S空位对扶手型二硫化钼纳米带性质的影响.计算结果表明:纯扶手型二硫化钼纳米带(AMoS2 NRs)为非磁性半导体,但其物性受S空位的位置及浓度所调制.当S空位出现在纳米带内部时,其性质不变.但当S空位在纳米带边缘时,AMoS2 NRs被调节成半金属;并随着S空位的浓度的增加,其物性从半金属转变为稀磁半导体.这一有趣的发现将使得低维MoS2纳米材料在自旋电子学上有更宽广的应用.
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