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采用真空共蒸发法在室温下沉积Sb—Te薄膜，在N2气氛中进行573K退火处理，制备出符合化学配比的Sb2Te3薄膜。将Sb2Te3薄膜用作CdTe太阳电池的背接触层，在不同温度下进行了快速退火处理，获得了效率为12．34％（Voc=805．9mV，Jsc=25．1mA／cm2，FF=0．61）的小面积太阳电池。