【摘 要】
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基于CSMC 180 nm CMOS工艺,设计了一款8位逐次逼近（SAR）A/D转换器芯片。采用了改进型的DAC结构,不仅解决了最高位电容对SAR ADC速度的影响,而且提高了高速动态锁存比较器电路的
【机 构】
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微电子技术四川省重点实验室四川大学物理科学与技术学院微电子系
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基于CSMC 180 nm CMOS工艺,设计了一款8位逐次逼近（SAR）A/D转换器芯片。采用了改进型的DAC结构,不仅解决了最高位电容对SAR ADC速度的影响,而且提高了高速动态锁存比较器电路的效率。仿真结果表明,在输入信号为25 MHz、采样频率51 MS/s的条件下进行仿真,该A/D转换器的功耗为0.61 m W,FOM值为89 f J/conv,信号噪声失真比（SNDR）为44.34 d B,无散杂动态范围（SFDR）为51.6 d B,有效位数（ENOB）为7.07 d B。在固定单位电容的
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