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用Ｎ型硅单晶材料制作了点状ＰＮ结光电二极管，对二极管的光电参数进行了测量。若依平面结的受光面积计算，在同样的光辐射下，点状ＰＮ结光岂二极管的光电流密度是常规面积光电二极管光电流密度的２００倍以上。分析表明，在光探测机制上不仅要考虑平面结范围内的光电转换，更要考虑平面结周边一个少数载流子扩散长度范围内的光电转换。利用点状ＰＮ结光照电流的测量，可以 确定在衬底材料光一少了的扩散长度。