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将聚酰亚胺（PI）薄膜制作在金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）的栅极上,当环境湿度发生变化时,将引起PI吸湿量的变化,电容量改变,据此可制成湿度传感器件,测试结果显示：该湿度传感器具有明显的湿度敏感特性。
聚酰亚胺MOSFET湿度传感器研究
【摘 要】
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将聚酰亚胺（PI）薄膜制作在金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）的栅极上,当环境湿度发生变化时,将引起PI吸湿量的变化,电容量改变,据此可制成湿度传感器件,测试结果显示：该湿度传感
【机 构】
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华南理工大学电子与信息学院
【出 处】
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传感器与微系统
【发表日期】
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2017年9期
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