【摘 要】
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压痕法是测量材料断裂韧性(KIC)的常用方法之一,如何根据不同的材料、不同的压头选择适合的公式,是当前面临的一大问题.因此,在不同载荷下对单晶硅(111)和碳化硅(4H-SiC,0001
【基金项目】
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国家自然科学基金(51705082,51875106),晋江市福大科教园区发展中心科研项目(2019-JJFDKY-11)资助。
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压痕法是测量材料断裂韧性(KIC)的常用方法之一,如何根据不同的材料、不同的压头选择适合的公式,是当前面临的一大问题.因此,在不同载荷下对单晶硅(111)和碳化硅(4H-SiC,0001面)这两种半导体材料进行了维氏微米硬度和玻氏纳米压痕实验,对实验产生的裂纹长度c进行了统计分析,并采用13个压痕公式计算材料的KIC,开展了微米划痕实验,验证压痕法评估半导体材料KIC的适用性.研究结果表明:为了消除维氏压痕实验产生的c的固有离散性,需要多次
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