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随着CMOS技术进入14 nm技术结点,三维鳍型场效应晶体管（Fin FET）源漏寄生电阻的提取随结构的改变而变得更为复杂,高精度寄生电阻的提取对器件建模及电路性能至关重要。根据Fin FET器件结构将源漏寄生电阻分割为3部分:由凸起源漏与接触孔所引入的寄生电阻(Rcon)、狭窄鳍到宽源漏区的过渡区寄生电阻(Rsp)以及源漏与沟道之间的寄生电阻(Rext)。考虑电流拥挤效应、电流展宽和栅压控制效应,分别采用平均电流长度法和微元积分法等对Rcon,Rsp和Rext进行建模。最后,将所建模型与TCAD仿真进行对比验证,结果表明所建模型可准确反映源漏寄生电阻的变化,其中过渡区寄生电阻的相对误差小于1%。