【摘 要】
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采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理,研究了Al掺杂对CoFeCrGa1-xAlx(x=0、0.25、0.5、0.75)合金电子结构、磁性、自旋零带隙半导体特性的影响。结果表明,随着Al掺杂浓度
【机 构】
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武汉科技大学材料与冶金学院,武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金面上资助项目(51871170).
论文部分内容阅读
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理,研究了Al掺杂对CoFeCrGa1-xAlx(x=0、0.25、0.5、0.75)合金电子结构、磁性、自旋零带隙半导体特性的影响。结果表明,随着Al掺杂浓度的增加,合金晶格常数减小,总磁矩符合Slater-Pauling规则。在整个研究范围内,CoFeCrGa1-xAlx(x=0、0.25、0.5、0.75)合金均为自旋零带隙半导体,随着x的增加,自旋向下能带中费米面从价带顶向导带方向移动,带隙宽度逐渐增加,当x=0.75时,费米面位于带隙中间,CoFeCrAl
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