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本文运用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算方法，根据原子尺度上的缺陷特性研究了4H—SiC的位错结构模型，并对4H—SiC基面位错的结构进行分析。建立了一种模型。文章简要介绍了4H-SiC材料中结构缺陷的分子动力学模拟方法，势能模型及主要技术细节。
一种基于第一性原理的4H-SiC结构缺陷计算模型
【摘 要】
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本文运用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算方法，根据原子尺度上的缺陷特性研究了4H—SiC的位错结构模型，并对4H—SiC基面位错的结构进行分析。建立了一种模型。文章简要介
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室,陕西青年职业学院数字信息技术系,西安电子科技大学理学院
【出 处】
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科技信息
【发表日期】
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2009年29期
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