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研究了硫钝化对GaAs MESFET直流特性的影响,并通过对钝化前后击穿电压的分析,认为负电荷表面态的增加减弱了栅靠漏一侧的电场强度,是导致器件击穿电压升高的原因.
硫钝化GaAs MESFET的机理研究
【摘 要】
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研究了硫钝化对GaAs MESFET直流特性的影响,并通过对钝化前后击穿电压的分析,认为负电荷表面态的增加减弱了栅靠漏一侧的电场强度,是导致器件击穿电压升高的原因.
【机 构】
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河北半导体研究所,河北工业大学
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2002年7期
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