【摘 要】
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InGaAs/InP 异质结光电二极管是用于1.2—1.6μm 波长范围光纤系统的一种重要光电器件。本文采用“深能级瞬态谱仪”（DLTS）对它进行了测试。发现其中有一电子陷阱存在,它的热激
【机 构】
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南京工学院电于工程系; 南京工学院电于工程系;
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InGaAs/InP 异质结光电二极管是用于1.2—1.6μm 波长范围光纤系统的一种重要光电器件。本文采用“深能级瞬态谱仪”（DLTS）对它进行了测试。发现其中有一电子陷阱存在,它的热激活能为0.44eV,能级密度为3.10×101 cm?,电子俘获截面为1.72×10-12cm2。研究结果表明它的产生与位于 InGaAs/InP 异质结界面缺陷和 p-InP 层中掺杂剂 Zn 的相互作用有关。同时,通过对管子暗电流的分析,确证所测深能级导致管中出现一新的暗电流成份——深能级协助隧穿电流。
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