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Vishay Intertechnology，Inc发布采用其新型P通道TrenchFET第三代技术的首款器件Si7137DP，该20VP通道MOSFET采用S0—8封装，具备业内最低的导通电阻。
新型20Vp通道TrenchFET第三代功率MOSFET
【摘 要】
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Vishay Intertechnology，Inc发布采用其新型P通道TrenchFET第三代技术的首款器件Si7137DP，该20VP通道MOSFET采用S0—8封装，具备业内最低的导通电阻。
【出 处】
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电子设计工程
【发表日期】
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2009年4期
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