磁控溅射Ni56Mn27Ga17高温形状记忆薄膜的马氏体相变与组织结构

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采用磁控溅射方法制备了Ni56Mn27Ga17高温形状记忆合金薄膜,研究了薄膜的马氏体相变行为和组织结构。试验结果表明,Ni56Mn27Ga17薄膜马氏体相变开始温度高达584K,该薄膜室温下为非调制四方结构马氏体。透射电镜观察进一步表明,其马氏体亚结构为(111)Ⅰ型孪晶。
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