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本文讨论化学束外延解决的Hg_(1-x)Cd_xTe生长和掺杂中关键性材料问题的能力,及其增强组分和生长率控制的优点。通过评述窄禁带合金(X<0.3)的电子学和光导性能和对n-型碘掺杂CdTe的初步研究,实验演证了这一技术。
HgCdTe化学束外延
【摘 要】
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本文讨论化学束外延解决的Hg_(1-x)Cd_xTe生长和掺杂中关键性材料问题的能力,及其增强组分和生长率控制的优点。通过评述窄禁带合金(X<0.3)的电子学和光导性能和对n-型碘掺杂
【机 构】
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美国佐治亚技术研究院物理科学实验室和微电子研究中心
【出 处】
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红外
【发表日期】
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1994年6期
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